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Manufacturing Process

1

Poly Silicon Stacking

고순도 다결정 실리콘을 석영 도가니에 충진

2

Ingot Growing

다결정 실리콘을 고온으로 녹인 뒤 단결정 실리콘 잉곳으로 성장

3

Ingot Grinding & Cropping

단결정 실리콘 잉곳의 표면을 매끄럽게 다듬은 뒤 블록 단위로 절단

4

Wire Sawing

단결정 실리콘 잉곳 블록을 낱장의 웨이퍼로 절단

5

Edge Grinding

웨이퍼의 가장자리 형상을 가공

6

Surface Grinding

웨이퍼의 표면을 매끄럽게 다듬고 평탄하게 가공

7

Etching

웨이퍼 표면의 가공 데미지를 화학작용을 이용해 제거

8

Double Side Polishing

웨이퍼 양면의 굴곡을 동시에 제거

9

Edge Polishing

웨이퍼 가장 자리의 불순물을 제거

10

Final Polishing

정밀 가공을 통해 웨이퍼 미세 굴곡을 제거

11

Flatness Inspection

웨이퍼의 형상과 평탄도 등의 품질을 검사

12

Final Cleaning

웨이퍼의 표면의 오염을 최종 제거

13

Particle Counting

웨이퍼 표면의 결함을 검사

14

Packing

충격, 먼지, 습기로 부터 보호하기위해 제품을 포장

15

Epitaxial Growing

웨이퍼 위에 실리콘 단결정층을 증착